![IRFZ44VZSPBF IRFZ44VZSPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/420638/smn_/manual/ipb65r125c7atma2.jpg)
IRFZ44VZSPBF Infineon Technologies
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44VZSPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 92W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ44VZSPBF за ціною від 68.21 грн до 210.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFZ44VZSPBF Код товару: 203092 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
товар відсутній |