IRFZ44NLPBF Infineon Technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 38.82 грн |
| 25+ | 38.64 грн |
| 50+ | 36.35 грн |
| 100+ | 32.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44NLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ44NLPBF за ціною від 21.32 грн до 78.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFZ44NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFZ44NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 18243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFZ44NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 18243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFZ44NLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFZ44NLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFZ44NLPBF | Виробник : IR |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO262 Udss=55V; Id=49A; Pdmax=110W; Rds=0,022 Ohm |
на замовлення 157 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IRFZ44NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFZ44NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
товар відсутній |