![IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/34/396743/smn_/manual/ipak.jpg_472149771.jpg)
IRFU9024NPBF Infineon Technologies
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 13.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9024NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFU9024NPBF за ціною від 18.64 грн до 86.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 6236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Mounting: THT Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Mounting: THT Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRFU9024NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF Код товару: 31708 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: I-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 11 А Rds(on),Om: 0,175 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |