![IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/8/747264/smn_/manual/to-262bw.jpg_472149771.jpg)
IRFSL4010PBF Infineon Technologies
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4010PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL4010PBF за ціною від 111.96 грн до 312.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: TO262 Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: TO262 Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |