![IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_IFEINFAIGW50N65F5XKSA1.jpg)
IRG7PH44K10D-EPBF International Rectifier
![IRSDS19356-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/315ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 320 W
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
64+ | 323.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG7PH44K10D-EPBF International Rectifier
Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 75ns/315ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 320 W.
Інші пропозиції IRG7PH44K10D-EPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRG7PH44K10D-EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRG7PH44K10D-EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 70A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IRG7PH44K10D-EPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRG7PH44K10D-EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 70A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |