![IRFU120NPBF IRFU120NPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/34/396743/smn_/manual/ipak.jpg_472149771.jpg)
IRFU120NPBF Infineon Technologies
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 16.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU120NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFU120NPBF за ціною від 15.98 грн до 89.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 5055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 9385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFU120NPBF Код товару: 101754 |
![]() |
товар відсутній
|