Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (137830) > Сторінка 1232 з 2298

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFH7921TRPBF IRFH7921TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7921pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH7934TRPBF IRFH7934TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7934pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8201TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Power dissipation: 156W
Drain current: 324A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8303TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8307TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: PQFN5X6
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8311TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8316TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+141.92 грн
3+ 91.24 грн
10+ 52.54 грн
20+ 50.78 грн
55+ 47.97 грн
100+ 47.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8321TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.4W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8325pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8330pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; 3.3W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.3W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.27 грн
10+ 96.71 грн
15+ 72.92 грн
39+ 68.53 грн
250+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFHM8326TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8329TRPBF IRFHM8329TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFHM8329TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.6W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: PQFN3.3X3.3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm9331pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+32.45 грн
25+ 27.46 грн
47+ 22.05 грн
129+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFHS8242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
товар відсутній
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHS9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 IRFHS9301TRPBF SMD P channel transistors
товар відсутній
IRFHS9351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
товар відсутній
IRFI131ONPBF IRFI131ONPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.17 грн
3+ 134.12 грн
10+ 108.94 грн
27+ 102.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi3205.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.83 грн
8+ 149.63 грн
20+ 136.18 грн
100+ 131.79 грн
250+ 130.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4110gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 72A; 61W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 72A
Power dissipation: 61W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.48 грн
3+ 306.55 грн
5+ 217.01 грн
14+ 204.71 грн
IRFI4229PBF IRFI4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4321pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+296.15 грн
3+ 255.46 грн
6+ 188.89 грн
15+ 178.35 грн
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFI4410ZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.18 грн
3+ 164.23 грн
8+ 146.72 грн
10+ 142.33 грн
20+ 138.81 грн
50+ 132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz24n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.24 грн
4+ 76.64 грн
10+ 60.62 грн
20+ 53.59 грн
50+ 52.71 грн
53+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ34NPBF IRFIZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+93.06 грн
10+ 72.92 грн
17+ 64.14 грн
45+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.32 грн
10+ 89.41 грн
15+ 70.29 грн
40+ 66.77 грн
500+ 64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.28 грн
36+ 29.65 грн
98+ 26.97 грн
1000+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4315pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.35 грн
27+ 10.31 грн
100+ 9.22 грн
135+ 7.64 грн
371+ 7.2 грн
3000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp054n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.92 грн
5+ 200.72 грн
7+ 152.87 грн
19+ 144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.93 грн
5+ 155.1 грн
9+ 128.27 грн
23+ 121.24 грн
100+ 117.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+296.15 грн
5+ 255.46 грн
6+ 188.89 грн
15+ 178.35 грн
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.7 грн
5+ 97.62 грн
15+ 71.16 грн
40+ 67.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.36 грн
5+ 145.07 грн
9+ 115.97 грн
25+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.66 грн
10+ 113.13 грн
26+ 102.79 грн
100+ 101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.97 грн
5+ 198.9 грн
7+ 152.87 грн
19+ 144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.29 грн
5+ 189.77 грн
7+ 152.87 грн
19+ 144.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.26 грн
5+ 178.82 грн
8+ 132.66 грн
22+ 125.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 410nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.03 грн
5+ 251.81 грн
12+ 229.31 грн
400+ 220.52 грн
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP3006PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1mΩ
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+576.21 грн
3+ 382.28 грн
8+ 347.91 грн
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+427.66 грн
4+ 266.41 грн
11+ 242.49 грн
100+ 238.97 грн
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.57 грн
5+ 225.35 грн
10+ 205.59 грн
25+ 197.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3306PBF IRFP3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3306pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.94 грн
9+ 124.99 грн
24+ 114.21 грн
2800+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+282.9 грн
3+ 254.55 грн
6+ 188.01 грн
15+ 177.47 грн
100+ 175.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.05 грн
5+ 213.49 грн
7+ 158.14 грн
18+ 149.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4004PBF IRFP4004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4004pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
Power dissipation: 380W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+392.65 грн
3+ 334.84 грн
4+ 281.14 грн
11+ 265.33 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4127PBF IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4127PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 53A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 53A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.75 грн
6+ 208.93 грн
15+ 190.65 грн
IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+299.93 грн
6+ 199.81 грн
15+ 181.86 грн
IRFH7921TRPBF description irfh7921pbf.pdf
IRFH7921TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH7934TRPBF irfh7934pbf.pdf
IRFH7934TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF.pdf
IRFH8201TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Power dissipation: 156W
Drain current: 324A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF.pdf
IRFH8303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF.pdf
IRFH8307TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: PQFN5X6
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF.pdf
IRFH8311TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFH8316TRPBF IRFH8316TRPBF.pdf
IRFH8316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+141.92 грн
3+ 91.24 грн
10+ 52.54 грн
20+ 50.78 грн
55+ 47.97 грн
100+ 47.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFH8321TRPBF IRFH8321TRPBF.pdf
IRFH8321TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.4W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFH8324TRPBF irfh8324pbf.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8325TRPBF irfh8325pbf.pdf
IRFH8325TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8330TRPBF irfh8330pbf.pdf
IRFH8330TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; 3.3W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.3W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.27 грн
10+ 96.71 грн
15+ 72.92 грн
39+ 68.53 грн
250+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF.pdf
IRFHM8326TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHM8329TRPBF IRFHM8329TRPBF.pdf
IRFHM8329TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.6W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: PQFN3.3X3.3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFHM9331TRPBF irfhm9331pbf.pdf
IRFHM9331TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.45 грн
25+ 27.46 грн
47+ 22.05 грн
129+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFHS8242TRPBF irfhs8242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623903b1f5d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS8242TRPBF SMD N channel transistors
товар відсутній
IRFHS8342TRPBF irfhs8342pbf.pdf
IRFHS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFHS9301TRPBF irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS9301TRPBF SMD P channel transistors
товар відсутній
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
товар відсутній
IRFI131ONPBF irfi1310n.pdf
IRFI131ONPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.17 грн
3+ 134.12 грн
10+ 108.94 грн
27+ 102.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI3205PBF description irfi3205.pdf
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.83 грн
8+ 149.63 грн
20+ 136.18 грн
100+ 131.79 грн
250+ 130.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI4110GPBF irfi4110gpbf.pdf
IRFI4110GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 72A; 61W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 72A
Power dissipation: 61W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360.48 грн
3+ 306.55 грн
5+ 217.01 грн
14+ 204.71 грн
IRFI4229PBF irfi4229pbf.pdf
IRFI4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI4321PBF irfi4321pbf.pdf
IRFI4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.15 грн
3+ 255.46 грн
6+ 188.89 грн
15+ 178.35 грн
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF.pdf
IRFI4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.18 грн
3+ 164.23 грн
8+ 146.72 грн
10+ 142.33 грн
20+ 138.81 грн
50+ 132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFI530NPBF irfi530n.pdf
IRFI530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
IRFI540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFIZ24NPBF irfiz24n.pdf
IRFIZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.24 грн
4+ 76.64 грн
10+ 60.62 грн
20+ 53.59 грн
50+ 52.71 грн
53+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ34NPBF description irfiz34n.pdf
IRFIZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.06 грн
10+ 72.92 грн
17+ 64.14 грн
45+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIZ44NPBF irfiz44n.pdf
IRFIZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.32 грн
10+ 89.41 грн
15+ 70.29 грн
40+ 66.77 грн
500+ 64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.28 грн
36+ 29.65 грн
98+ 26.97 грн
1000+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL4315TRPBF irfl4315pbf.pdf
IRFL4315TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.35 грн
27+ 10.31 грн
100+ 9.22 грн
135+ 7.64 грн
371+ 7.2 грн
3000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP054NPBF irfp054n.pdf
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.92 грн
5+ 200.72 грн
7+ 152.87 грн
19+ 144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.93 грн
5+ 155.1 грн
9+ 128.27 грн
23+ 121.24 грн
100+ 117.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.15 грн
5+ 255.46 грн
6+ 188.89 грн
15+ 178.35 грн
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.7 грн
5+ 97.62 грн
15+ 71.16 грн
40+ 67.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.36 грн
5+ 145.07 грн
9+ 115.97 грн
25+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.66 грн
10+ 113.13 грн
26+ 102.79 грн
100+ 101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.97 грн
5+ 198.9 грн
7+ 152.87 грн
19+ 144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.29 грн
5+ 189.77 грн
7+ 152.87 грн
19+ 144.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.26 грн
5+ 178.82 грн
8+ 132.66 грн
22+ 125.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 410nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.03 грн
5+ 251.81 грн
12+ 229.31 грн
400+ 220.52 грн
IRFP3006PBF IRFP3006PBF.pdf
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1mΩ
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.21 грн
3+ 382.28 грн
8+ 347.91 грн
IRFP3077PBF irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.66 грн
4+ 266.41 грн
11+ 242.49 грн
100+ 238.97 грн
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.57 грн
5+ 225.35 грн
10+ 205.59 грн
25+ 197.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3306PBF description irfp3306pbf.pdf
IRFP3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP3415PBF irfp3415.pdf
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.94 грн
9+ 124.99 грн
24+ 114.21 грн
2800+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3703PBF irfp3703.pdf
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.9 грн
3+ 254.55 грн
6+ 188.01 грн
15+ 177.47 грн
100+ 175.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP3710PBF irfp3710.pdf
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.05 грн
5+ 213.49 грн
7+ 158.14 грн
18+ 149.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4004PBF description irfp4004pbf.pdf
IRFP4004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
Power dissipation: 380W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.65 грн
3+ 334.84 грн
4+ 281.14 грн
11+ 265.33 грн
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4127PBF IRFP4127PBF.pdf
IRFP4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 53A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 53A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+355.75 грн
6+ 208.93 грн
15+ 190.65 грн
IRFP4137PBF IRFP4137PBF.pdf
IRFP4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4227PBF description irfp4227pbf.pdf
IRFP4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+299.93 грн
6+ 199.81 грн
15+ 181.86 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]