![IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/39/30573/smn_/manual/micro6.jpg_472149771.jpg)
IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFTS9342TRPBF за ціною від 8.79 грн до 39.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V |
на замовлення 22701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFTS9342TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 5884 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFTS9342TRPBF |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF Код товару: 87001 |
![]() |
товар відсутній
|