Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (137830) > Сторінка 1230 з 2298

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF8301MTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 192A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 192A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8313pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF8714TRPBF IRF8714TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8714pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8721TRPBF IRF8721TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8721pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8734pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8736pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8910pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 71A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 71A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -16A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9321pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9328TRPBF IRF9328TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9328pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9332pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9335pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9358pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+47.31 грн
10+ 35.95 грн
49+ 21.09 грн
134+ 19.94 грн
250+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.45 грн
25+ 34.67 грн
41+ 25.48 грн
111+ 24.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.69 грн
10+ 108.57 грн
27+ 99.28 грн
1000+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.97 грн
10+ 81.47 грн
20+ 52.19 грн
55+ 49.38 грн
1000+ 47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9910pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9952pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9956pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+73.8 грн
10+ 55.38 грн
27+ 38.74 грн
73+ 36.64 грн
500+ 36.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.99 грн
9+ 123.17 грн
24+ 111.58 грн
1000+ 108.94 грн
2000+ 108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.91 грн
6+ 196.16 грн
15+ 178.35 грн
50+ 170.44 грн
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.27 грн
7+ 175.17 грн
17+ 159.9 грн
1000+ 155.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.66 грн
3+ 156.93 грн
9+ 116.85 грн
25+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.75 грн
3+ 278.27 грн
6+ 205.59 грн
14+ 194.16 грн
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.02 грн
3+ 198.9 грн
8+ 145.84 грн
20+ 137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3256PBF IRFB3256PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB3256PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.26 грн
3+ 179.74 грн
8+ 131.79 грн
22+ 124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.93 грн
10+ 149.63 грн
12+ 89.61 грн
32+ 84.34 грн
2000+ 81.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.23 грн
10+ 52.46 грн
24+ 43.31 грн
65+ 40.94 грн
250+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3806pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.88 грн
5+ 61.4 грн
10+ 50.08 грн
25+ 41.38 грн
69+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs38n20d.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.72 грн
9+ 124.08 грн
24+ 112.46 грн
250+ 108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+142.87 грн
10+ 115.87 грн
14+ 73.8 грн
39+ 69.41 грн
1000+ 66.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+283.85 грн
10+ 100.36 грн
14+ 78.19 грн
37+ 73.8 грн
500+ 72.92 грн
IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4110GPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.62 грн
6+ 202.54 грн
15+ 184.5 грн
100+ 176.59 грн
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+288.58 грн
6+ 188.86 грн
16+ 172.2 грн
500+ 169.56 грн
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.83 грн
7+ 170.61 грн
18+ 155.51 грн
100+ 151.99 грн
500+ 148.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4137PBF IRFB4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF8113TRPBF description irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50
IRF8113TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF.pdf
IRF8301MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 192A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 192A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF8313TRPBF irf8313pbf.pdf
IRF8313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8707TRPBF irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b
IRF8707TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF8714TRPBF irf8714pbf.pdf
IRF8714TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8721TRPBF irf8721pbf.pdf
IRF8721TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8788TRPBF irf8788pbf.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8910TRPBF irf8910pbf.pdf
IRF8910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF8915TRPBF irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91
IRF8915TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 71A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 71A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9317TRPBF irf9317pbf.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -16A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9321TRPBF irf9321pbf.pdf
IRF9321TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9328TRPBF irf9328pbf.pdf
IRF9328TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9332TRPBF irf9332pbf.pdf
IRF9332TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9335TRPBF irf9335pbf.pdf
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9358TRPBF irf9358pbf.pdf
IRF9358TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.31 грн
10+ 35.95 грн
49+ 21.09 грн
134+ 19.94 грн
250+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
IRF9393TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.45 грн
25+ 34.67 грн
41+ 25.48 грн
111+ 24.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9410TRPBF irf9410pbf.pdf
IRF9410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.69 грн
10+ 108.57 грн
27+ 99.28 грн
1000+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.97 грн
10+ 81.47 грн
20+ 52.19 грн
55+ 49.38 грн
1000+ 47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9910TRPBF description irf9910pbf.pdf
IRF9910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9956TRPBF irf9956pbf.pdf
IRF9956TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.8 грн
10+ 55.38 грн
27+ 38.74 грн
73+ 36.64 грн
500+ 36.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB260NPBF irfb260n.pdf
IRFB260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.99 грн
9+ 123.17 грн
24+ 111.58 грн
1000+ 108.94 грн
2000+ 108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3004PBF irfs3004pbf.pdf
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.91 грн
6+ 196.16 грн
15+ 178.35 грн
50+ 170.44 грн
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.27 грн
7+ 175.17 грн
17+ 159.9 грн
1000+ 155.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.66 грн
3+ 156.93 грн
9+ 116.85 грн
25+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.75 грн
3+ 278.27 грн
6+ 205.59 грн
14+ 194.16 грн
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.02 грн
3+ 198.9 грн
8+ 145.84 грн
20+ 137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3256PBF IRFB3256PBF.pdf
IRFB3256PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.26 грн
3+ 179.74 грн
8+ 131.79 грн
22+ 124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3307ZPBF irfs3307zpbf.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.93 грн
10+ 149.63 грн
12+ 89.61 грн
32+ 84.34 грн
2000+ 81.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3607PBF irfs3607pbf.pdf
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.23 грн
10+ 52.46 грн
24+ 43.31 грн
65+ 40.94 грн
250+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB3806PBF irfs3806pbf.pdf
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.88 грн
5+ 61.4 грн
10+ 50.08 грн
25+ 41.38 грн
69+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB38N20DPBF description irfs38n20d.pdf
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.72 грн
9+ 124.08 грн
24+ 112.46 грн
250+ 108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.87 грн
10+ 115.87 грн
14+ 73.8 грн
39+ 69.41 грн
1000+ 66.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+283.85 грн
10+ 100.36 грн
14+ 78.19 грн
37+ 73.8 грн
500+ 72.92 грн
IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF.pdf
IRFB4110GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.62 грн
6+ 202.54 грн
15+ 184.5 грн
100+ 176.59 грн
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+288.58 грн
6+ 188.86 грн
16+ 172.2 грн
500+ 169.56 грн
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.83 грн
7+ 170.61 грн
18+ 155.51 грн
100+ 151.99 грн
500+ 148.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4137PBF IRFB4137PBF.pdf
IRFB4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4227PBF irfb4227pbf.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 458 687 916 1145 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]