![IRFB4020PBF IRFB4020PBF](/img/to-220.jpg)
IRFB4020PBF
![irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 55927
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності 13 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 72 грн |
10+ | 64.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4020PBF за ціною від 45.09 грн до 141.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V |
на замовлення 17001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 780 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MBR0520LT1G Код товару: 25895 |
![]() |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,5 A
Падіння напруги, Vf: 0,38 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,5 A
Падіння напруги, Vf: 0,38 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A
у наявності: 2532 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 3.5 грн |
17+ | 3.1 грн |
100+ | 2.8 грн |
TC4420CPA Код товару: 25999 |
![]() |
![]() |
Виробник: Microchip /TelCom
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 6 А
V out, V: 4,5-18 V
T on/T off, ns: 55/25 ns
Примітка: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 6 А
V out, V: 4,5-18 V
T on/T off, ns: 55/25 ns
Примітка: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
у наявності: 172 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
10+ | 49 грн |
IRS2092SPBF Код товару: 26019 |
![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOIC-16
U пит, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Примітка: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOIC-16
U пит, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Примітка: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 21 шт
очікується:
5 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426 грн |
10+ | 400.4 грн |
1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 31650 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
очікується:
3000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 4.5 грн |
13+ | 4 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3.2 грн |
1.5KE180CA Код товару: 32621 |
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 180 V
Конструкція діода: Двоспрямований
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 180 V
Конструкція діода: Двоспрямований
у наявності: 1588 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.6 грн |