IRF9358TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 28.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9358TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF9358TRPBF за ціною від 28.86 грн до 115.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 15663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb |
на замовлення 6836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF Код товару: 189100 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |