![IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/8/747264/smn_/manual/to-262bw.jpg_472149771.jpg)
IRF9540NLPBF Infineon Technologies
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 54.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540NLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF9540NLPBF за ціною від 71.95 грн до 208.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Mounting: THT Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: TO262 Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Mounting: THT Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: TO262 Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9540NLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |