IRFB4115PBF Infineon Technologies
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4115PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB4115PBF за ціною від 104.31 грн до 289.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
на замовлення 10752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4115PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4115PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4115PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4115PBF Код товару: 37473 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 104 A Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4115PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |