![IRF9328TRPBF IRF9328TRPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/6d710c8a21a44c0fe16e262d0ca629474d2326c8/8-lead-soic.jpg)
IRF9328TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
299+ | 40.38 грн |
326+ | 37.07 грн |
336+ | 35.96 грн |
500+ | 33.32 грн |
1000+ | 29.78 грн |
4000+ | 26.35 грн |
8000+ | 26.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9328TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9328TRPBF за ціною від 32.17 грн до 86.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
IRF9328TRPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF9328TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF9328TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |