Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies

652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF9530NSTRLPBF за ціною від 28.38 грн до 105.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+36.84 грн
2400+ 34.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+49.33 грн
1600+ 38.69 грн
2400+ 36.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+55.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.92 грн
250+ 50.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+59.73 грн
217+ 56.37 грн
250+ 48.92 грн
263+ 45.01 грн
500+ 41.59 грн
1600+ 35.9 грн
Мінімальне замовлення: 205
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+83.16 грн
157+ 78.17 грн
190+ 64.41 грн
250+ 60.55 грн
500+ 31.84 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+90.81 грн
148+ 82.66 грн
153+ 80.11 грн
200+ 72.14 грн
500+ 40.22 грн
1600+ 38.35 грн
Мінімальне замовлення: 135
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.57 грн
10+ 72.08 грн
100+ 56.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.41 грн
10+ 77.22 грн
25+ 72.59 грн
100+ 57.67 грн
250+ 52.06 грн
500+ 28.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.93 грн
10+ 78.44 грн
100+ 53.26 грн
500+ 49.17 грн
800+ 33.72 грн
2400+ 33.22 грн
9600+ 32.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.24 грн
10+ 82.3 грн
50+ 71.3 грн
100+ 55.92 грн
250+ 50.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній