![IRF9530NPBF IRF9530NPBF](/img/to-220.jpg)
IRF9530NPBF
![irf9530n.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 32844
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності 268 шт:
206 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
100+ | 17.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9530NPBF за ціною від 21.91 грн до 74.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 38.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 54896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 38.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 31612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF9530NPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF530NPBF Код товару: 50641 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 17.5 грн |
10+ | 15.9 грн |
100+ | 14.4 грн |
IRF9540NPBF Код товару: 31944 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 379 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1060 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 67300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 1 грн |
84+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
IRF9Z24NPBF Код товару: 40284 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 255 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |