IRF8736TRPBF
у наявності 165 шт:
115 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF8736TRPBF за ціною від 14.38 грн до 57.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V |
на замовлення 33500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V |
на замовлення 35236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg |
на замовлення 12606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 83199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2232 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.9 грн |
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 44184 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
10000+ | 0.45 грн |
0,01 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R01 – Hitano) Код товару: 104933 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,01 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,01 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 3940 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 3.2 грн |
100+ | 2.7 грн |
1000+ | 2.3 грн |
10nF 100V X7R 10% 0603 (GRM188R72A103KA01D – Murata) Код товару: 2363 |
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 1570 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 0.7 грн |
100+ | 0.5 грн |
1000+ | 0.4 грн |
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano) Код товару: 3427 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 606 шт
очікується:
4000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2.3 грн |
100+ | 2 грн |
1000+ | 1.8 грн |