![IRFB4227PBF IRFB4227PBF](/img/to-220.jpg)
IRFB4227PBF
![irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 25579
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності 31 шт:
14 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 225 грн |
10+ | 199 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 75.91 грн до 240.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 4603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF540NPBF Код товару: 3289 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
100+ | 27.9 грн |
BD139 (КТ815Г) Код товару: 4745 |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 50 грн |
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27260 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 50278 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.08 грн |
10000+ | 0.04 грн |
22uF 25V size-C 10% (293D226X9025C2TE3) Код товару: 33499 |
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-C
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-C
у наявності: 383 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 9 грн |
10+ | 8.1 грн |
100+ | 7.3 грн |
4,7uF 25V size-B 10% (293D475X9025B2TE3-Vishay) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 56048 |
Виробник: Vishay
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 1005 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |