Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9335TRPBF
IRF9335TRPBF

IRF9335TRPBF Infineon Technologies

irf9335pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9335TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF9335TRPBF за ціною від 15.49 грн до 55.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.17 грн
8000+ 17.09 грн
12000+ 16.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.65 грн
23+ 27.03 грн
25+ 26.76 грн
100+ 21.83 грн
250+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.88 грн
250+ 27.91 грн
1000+ 22 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
324+37.36 грн
466+ 25.98 грн
477+ 25.38 грн
500+ 23.3 грн
Мінімальне замовлення: 324
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
261+46.42 грн
305+ 39.75 грн
321+ 37.69 грн
500+ 34.07 грн
1000+ 29.62 грн
2000+ 26.76 грн
4000+ 25 грн
Мінімальне замовлення: 261
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.85 грн
50+ 30.88 грн
250+ 27.91 грн
1000+ 22 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9335_DataSheet_v01_01_EN-3362925.pdf MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.2 грн
10+ 44.56 грн
100+ 26.55 грн
500+ 25.23 грн
1000+ 22.16 грн
2000+ 19.72 грн
4000+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9335pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561147881da3 Description: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.03 грн
10+ 46.17 грн
100+ 31.97 грн
500+ 25.07 грн
1000+ 21.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9335-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9335pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9335pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561147881da3 Description: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9335pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній