Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8113TRPBF
IRF8113TRPBF

IRF8113TRPBF Infineon Technologies

irf8113.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8113TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF8113TRPBF за ціною від 17.13 грн до 73.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.16 грн
8000+ 22.13 грн
12000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.81 грн
8000+ 23.78 грн
12000+ 23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.91 грн
21+ 29.09 грн
25+ 28.8 грн
100+ 24.36 грн
250+ 22.33 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+31.32 грн
389+ 31.01 грн
444+ 27.2 грн
448+ 25.97 грн
500+ 22.46 грн
1000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 385
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
342+35.26 грн
378+ 31.94 грн
399+ 30.24 грн
500+ 28.67 грн
1000+ 25.29 грн
4000+ 24.03 грн
Мінімальне замовлення: 342
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.66 грн
24+ 34.22 грн
100+ 32.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.11 грн
10+ 52.93 грн
100+ 36.64 грн
500+ 28.73 грн
1000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8113_DataSheet_v01_01_EN-3363254.pdf MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.9 грн
10+ 59.65 грн
100+ 35.35 грн
500+ 29.52 грн
1000+ 25.16 грн
2000+ 22.84 грн
4000+ 21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній