IRF9389TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 10.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9389TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF9389TRPBF за ціною від 11.36 грн до 46.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9389TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9389TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-4.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27/64mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-4.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27/64mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS |
на замовлення 102515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF9389TRPBF Код товару: 98277 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF9389TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |