IRFB3207PBF Infineon Technologies
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3207PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB3207PBF за ціною від 74.1 грн до 321.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB3207PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB3207PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3207PBF Код товару: 180333 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFB3207PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |