![IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/6d710c8a21a44c0fe16e262d0ca629474d2326c8/8-lead-soic.jpg)
IRF9910TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 51.56 грн |
13+ | 50.02 грн |
25+ | 49.52 грн |
50+ | 47.27 грн |
100+ | 41.35 грн |
250+ | 39.3 грн |
500+ | 37.05 грн |
1000+ | 31.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9910TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF9910TRPBF за ціною від 38.44 грн до 119.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9910TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |