IRFB38N20DPBF Infineon Technologies
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB38N20DPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB38N20DPBF за ціною від 80.41 грн до 228.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB38N20DPBF | Виробник : International Rectifier |
 Description: IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL PPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB38N20DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB38N20DPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB38N20DPBF Код товару: 76399 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |