Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8788TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF8788TRPBF за ціною від 28.18 грн до 89.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+46.88 грн
262+ 46.24 грн
283+ 42.78 грн
289+ 40.32 грн
500+ 35.78 грн
1000+ 30.76 грн
3000+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 258
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.39 грн
14+ 43.53 грн
25+ 42.94 грн
100+ 38.31 грн
250+ 34.67 грн
500+ 31.9 грн
1000+ 28.56 грн
3000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.21 грн
500+ 43.48 грн
1000+ 32.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+58.51 грн
210+ 57.69 грн
227+ 53.37 грн
243+ 48.07 грн
500+ 44.41 грн
1000+ 38.41 грн
4000+ 37.89 грн
Мінімальне замовлення: 207
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+78.02 грн
13+ 63.64 грн
100+ 51.21 грн
500+ 43.48 грн
1000+ 32.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.19 грн
10+ 66.86 грн
100+ 52.04 грн
500+ 41.39 грн
1000+ 33.72 грн
2000+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-3363144.pdf MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 10706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.44 грн
10+ 73.65 грн
100+ 50.8 грн
500+ 43.56 грн
1000+ 35.75 грн
2000+ 34.5 грн
4000+ 34.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF8788TRPBF
Код товару: 202860 		irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
товар відсутній