![IRFB4110PBF IRFB4110PBF](/img/to-220.jpg)
IRFB4110PBF
![irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 42666
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 285 шт:
220 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 138 грн |
10+ | 123.2 грн |
100+ | 108.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 101.78 грн до 344.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
на замовлення 4513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17834 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 298 шт
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |
220uF 100V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR221M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 12830 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 25 шт
очікується:
600 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 11.9 грн |
NIPPEL TO-220 Втулка ізоляційна для TO220, 6,1мм, макс.130°C Код товару: 26109 |
![]() |
Ізоляційні матеріали
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
у наявності: 46338 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
14+ | 1.5 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 1.2 грн |
IR2110STRPBF Код товару: 45805 |
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2/2 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2/2 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 121 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 85 грн |
10+ | 77.5 грн |
TL494CDR Код товару: 123303 |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM Controller
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM Controller
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 630 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 12 грн |
10+ | 10.8 грн |
100+ | 9.7 грн |