Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (334991) > Сторінка 1016 з 5584

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1011 1012 1013 1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1021 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI1499DH-T1-E3 VISHAY si1499dh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -1.6A; Idm: -6.5A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 424mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -6.5A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1499DH-T1-GE3 SI1499DH-T1-GE3 VISHAY si1499dh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -1.6A; Idm: -6.5A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 424mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -6.5A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY si1539cdl.pdf SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY si1553cdl.pdf SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1865DDL-T1-GE3 VISHAY Si1865DDL.pdf SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 VISHAY SI1869DH.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.8...20V DC
Number of channels: 1
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 132mΩ
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.17 грн
10+ 32.24 грн
90+ 11.53 грн
248+ 10.82 грн
30000+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1900DL-T1-E3 VISHAY si1900dl.pdf SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1900DL-T1-GE3 VISHAY SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.27W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.39 грн
11+ 25.33 грн
100+ 14.37 грн
102+ 10.24 грн
279+ 9.68 грн
1000+ 9.49 грн
3000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1902DL-T1-E3 VISHAY si1902dl.pdf SI1902DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1902DL-T1-GE3 VISHAY si1902dl.pdf SI1902DL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY si1922ed.pdf SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1926DL-T1-E3 VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1926DL-T1-GE3 VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1965DH-T1-E3 VISHAY SI1965DH.pdf SI1965DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1965DH-T1-GE3 VISHAY si1965dh.pdf SI1965DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1967DH-T1-E3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1967DH-T1-GE3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.26 грн
10+ 29.94 грн
25+ 25.28 грн
80+ 13.04 грн
218+ 12.33 грн
3000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+28.66 грн
12+ 23.12 грн
50+ 15.97 грн
100+ 13.48 грн
112+ 9.24 грн
308+ 8.74 грн
1000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.17 грн
50+ 26.62 грн
86+ 12.07 грн
236+ 11.36 грн
6000+ 11.18 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.3 грн
11+ 26.26 грн
25+ 19.16 грн
100+ 15.17 грн
114+ 9.05 грн
314+ 8.61 грн
9000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2303CDS-T1-BE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2303CDS-T1-E3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.44 грн
50+ 23.49 грн
100+ 10.38 грн
275+ 9.85 грн
9000+ 9.76 грн
30000+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2304BDS-T1-E3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY SI2304DDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+32.48 грн
11+ 25.52 грн
50+ 17.3 грн
96+ 10.8 грн
262+ 10.21 грн
1000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY SI2305CDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.86 грн
25+ 14.19 грн
89+ 11.53 грн
245+ 10.91 грн
3000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY SI2305CDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.86 грн
25+ 14.19 грн
89+ 11.53 грн
245+ 10.91 грн
3000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY SI2306BDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+41.08 грн
25+ 32.52 грн
43+ 24.15 грн
119+ 22.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4500000000nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY SI2307CDS-T1-GE3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.17 грн
50+ 26.81 грн
74+ 14.02 грн
204+ 13.31 грн
1500+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.06W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 156mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+48.72 грн
20+ 34.55 грн
72+ 14.32 грн
198+ 13.54 грн
6000+ 13.31 грн
9000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.06W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 192mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.95 грн
8+ 36.85 грн
10+ 32.03 грн
25+ 28.83 грн
66+ 15.7 грн
180+ 14.82 грн
1000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2309CDS-T1-E3 VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.99 грн
50+ 29.2 грн
66+ 15.85 грн
180+ 14.99 грн
1500+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2312BDS-T1-E3 VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 41.4mΩ
Drain current: 5.1A
Gate charge: 8.8nC
Drain-source voltage: 20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.44 грн
50+ 23.4 грн
90+ 11.53 грн
247+ 10.91 грн
3000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2314EDS-T1-E3 VISHAY si2314ed.pdf SI2314EDS-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2314EDS-T1-GE3 VISHAY si2314ed.pdf SI2314EDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.19W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+41.08 грн
10+ 34.09 грн
25+ 25.02 грн
52+ 19.96 грн
142+ 18.81 грн
1000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.48W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.64 грн
10+ 41.73 грн
60+ 17.3 грн
164+ 16.32 грн
9000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY si2316bd.pdf SI2316BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY si2316bd.pdf SI2316BDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 VISHAY si2316ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.06 грн
8+ 35.01 грн
25+ 29.45 грн
41+ 25.64 грн
111+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2316DS-T1-GE3 VISHAY si2316ds.pdf SI2316DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.44 грн
10+ 27.73 грн
50+ 18.63 грн
90+ 11.59 грн
246+ 10.95 грн
500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.99 грн
25+ 24.32 грн
58+ 18.1 грн
158+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.95 грн
10+ 36.48 грн
50+ 20.67 грн
138+ 19.61 грн
500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.3 грн
10+ 28.56 грн
12+ 22.98 грн
25+ 20.76 грн
66+ 15.88 грн
180+ 14.99 грн
1000+ 14.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.07 грн
6+ 47.35 грн
25+ 41.16 грн
33+ 31.48 грн
91+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI1499DH-T1-E3 si1499dh.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -1.6A; Idm: -6.5A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 424mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -6.5A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1499DH-T1-GE3 si1499dh.pdf
SI1499DH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -1.6A; Idm: -6.5A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 424mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -6.5A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1539CDL-T1-GE3 si1539cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1865DDL-T1-GE3 Si1865DDL.pdf
Виробник: VISHAY
SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH.pdf
SI1869DH-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.8...20V DC
Number of channels: 1
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 132mΩ
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.17 грн
10+ 32.24 грн
90+ 11.53 грн
248+ 10.82 грн
30000+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1900DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.27W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.39 грн
11+ 25.33 грн
100+ 14.37 грн
102+ 10.24 грн
279+ 9.68 грн
1000+ 9.49 грн
3000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1902DL-T1-E3 si1902dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902DL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1922EDH-T1-GE3 si1922ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH.pdf
Виробник: VISHAY
SI1965DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1965DH-T1-GE3 si1965dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1965DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1967DH-T1-GE3 si1967dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2301BDS-T1-E3 si2301bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.26 грн
10+ 29.94 грн
25+ 25.28 грн
80+ 13.04 грн
218+ 12.33 грн
3000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.66 грн
12+ 23.12 грн
50+ 15.97 грн
100+ 13.48 грн
112+ 9.24 грн
308+ 8.74 грн
1000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.17 грн
50+ 26.62 грн
86+ 12.07 грн
236+ 11.36 грн
6000+ 11.18 грн
9000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.3 грн
11+ 26.26 грн
25+ 19.16 грн
100+ 15.17 грн
114+ 9.05 грн
314+ 8.61 грн
9000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.44 грн
50+ 23.49 грн
100+ 10.38 грн
275+ 9.85 грн
9000+ 9.76 грн
30000+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2304BDS-T1-E3 si2304bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.48 грн
11+ 25.52 грн
50+ 17.3 грн
96+ 10.8 грн
262+ 10.21 грн
1000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.86 грн
25+ 14.19 грн
89+ 11.53 грн
245+ 10.91 грн
3000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.86 грн
25+ 14.19 грн
89+ 11.53 грн
245+ 10.91 грн
3000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS.pdf
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.08 грн
25+ 32.52 грн
43+ 24.15 грн
119+ 22.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2306BDS-T1-GE3 si2306bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 20A; 1.25W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4500000000nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2307BDS-T1-E3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.17 грн
50+ 26.81 грн
74+ 14.02 грн
204+ 13.31 грн
1500+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.06W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 156mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.72 грн
20+ 34.55 грн
72+ 14.32 грн
198+ 13.54 грн
6000+ 13.31 грн
9000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2308BDS-T1-GE3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.06W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 192mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.95 грн
8+ 36.85 грн
10+ 32.03 грн
25+ 28.83 грн
66+ 15.7 грн
180+ 14.82 грн
1000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cds.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.99 грн
50+ 29.2 грн
66+ 15.85 грн
180+ 14.99 грн
1500+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2312BDS-T1-E3 si2312bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2312BDS-T1-GE3 si2312bds.pdf
SI2312BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 41.4mΩ
Drain current: 5.1A
Gate charge: 8.8nC
Drain-source voltage: 20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.44 грн
50+ 23.4 грн
90+ 11.53 грн
247+ 10.91 грн
3000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI2314EDS-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2314EDS-T1-GE3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI2314EDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.19W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.08 грн
10+ 34.09 грн
25+ 25.02 грн
52+ 19.96 грн
142+ 18.81 грн
1000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.48W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.64 грн
10+ 41.73 грн
60+ 17.3 грн
164+ 16.32 грн
9000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2316BDS-T1-E3 si2316bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2316BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2316BDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2316DS-T1-E3 si2316ds.pdf
SI2316DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.06 грн
8+ 35.01 грн
25+ 29.45 грн
41+ 25.64 грн
111+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2316DS-T1-GE3 si2316ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2316DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.44 грн
10+ 27.73 грн
50+ 18.63 грн
90+ 11.59 грн
246+ 10.95 грн
500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS.pdf
SI2318DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS.pdf
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.99 грн
25+ 24.32 грн
58+ 18.1 грн
158+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.95 грн
10+ 36.48 грн
50+ 20.67 грн
138+ 19.61 грн
500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.3 грн
10+ 28.56 грн
12+ 22.98 грн
25+ 20.76 грн
66+ 15.88 грн
180+ 14.99 грн
1000+ 14.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.07 грн
6+ 47.35 грн
25+ 41.16 грн
33+ 31.48 грн
91+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1011 1012 1013 1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1021 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]