на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1922EDH-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1922EDH-T1-GE3 за ціною від 7.04 грн до 30.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 20241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 |
на замовлення 52974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 |
|
на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 |
|
на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 198mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 198mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |