Продукція > VISHAY > SI2306BDS-T1-E3
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3 Vishay

73234.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2306BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2306BDS-T1-E3 за ціною від 10.62 грн до 45.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14 грн
6000+ 12.79 грн
9000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
602+20.07 грн
625+ 19.35 грн
1000+ 18.72 грн
2500+ 17.52 грн
5000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 602
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.63 грн
500+ 17.21 грн
1500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
383+31.63 грн
447+ 27.05 грн
504+ 24.01 грн
606+ 19.26 грн
1000+ 11.91 грн
Мінімальне замовлення: 383
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY SI2306BDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+33.62 грн
25+ 25.63 грн
43+ 19.66 грн
117+ 18.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY SI2306BDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.34 грн
25+ 31.93 грн
43+ 23.59 грн
117+ 22.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 13879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.46 грн
10+ 34.19 грн
100+ 23.76 грн
500+ 17.41 грн
1000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.13 грн
21+ 29.67 грн
25+ 29.37 грн
100+ 24.22 грн
250+ 19.9 грн
500+ 15.89 грн
1000+ 10.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2306bd.pdf Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.94 грн
50+ 36.43 грн
100+ 28.85 грн
500+ 17.21 грн
1500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2306bd.pdf MOSFET 30V 4.0A 0.75W
на замовлення 35895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.37 грн
10+ 35.99 грн
100+ 22.86 грн
500+ 17.98 грн
1000+ 14.57 грн
3000+ 14.36 грн
9000+ 13.8 грн
Мінімальне замовлення: 8