![SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742;5550;H,L;6.jpg)
SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix
![SI1965DH.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.21 грн |
11+ | 28.11 грн |
100+ | 19.53 грн |
500+ | 14.31 грн |
1000+ | 11.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI1965DH-T1-E3 за ціною від 10.96 грн до 36.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI1965DH-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 20945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI1965DH-T1-E3 |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
SI1965DH-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -3A Mounting: SMD Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -12V Drain current: -1.3A On-state resistance: 710mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SI1965DH-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI1965DH-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -3A Mounting: SMD Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -12V Drain current: -1.3A On-state resistance: 710mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 |
товар відсутній |