Продукція > VISHAY > SI2301BDS-T1-GE3
SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3 Vishay

si2301bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301BDS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2301BDS-T1-GE3 за ціною від 9.11 грн до 36.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.52 грн
6000+ 10.53 грн
9000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+17.24 грн
38+ 16.02 грн
100+ 12.98 грн
250+ 9.11 грн
Мінімальне замовлення: 35
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2301bds.pdf MOSFETs 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V
на замовлення 90574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.25 грн
13+ 25.57 грн
100+ 15.75 грн
500+ 12.96 грн
1000+ 10.87 грн
3000+ 9.83 грн
9000+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.49 грн
16+ 23.59 грн
25+ 20.69 грн
79+ 10.82 грн
218+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 21836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.68 грн
11+ 28.17 грн
100+ 19.56 грн
500+ 14.33 грн
1000+ 11.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.59 грн
10+ 29.4 грн
25+ 24.83 грн
79+ 12.98 грн
218+ 12.28 грн
3000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2301BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Si2301BDS P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)