на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304DDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2304DDS-T1-GE3 за ціною від 5.58 грн до 30.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
на замовлення 13587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
на замовлення 13587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V |
на замовлення 47945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 95241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |