Продукція > VISHAY > SI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3

SI1553CDL-T1-GE3 Vishay


si1553cdl.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 55003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1553CDL-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1553CDL-T1-GE3 за ціною від 6.97 грн до 36.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1553cdl.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.46 грн
9000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011679627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.77 грн
9000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1553cdl.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.9 грн
6000+ 12.71 грн
12000+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1553cdl.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1553cdl.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
420+28.81 грн
680+ 17.79 грн
686+ 17.62 грн
734+ 15.89 грн
1380+ 7.82 грн
Мінімальне замовлення: 420
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY 1865457.pdf Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.65 грн
50+ 24.31 грн
100+ 17.98 грн
500+ 10.02 грн
1500+ 9.05 грн
Мінімальне замовлення: 26
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1553cdl.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.12 грн
23+ 27.03 грн
25+ 26.76 грн
100+ 15.93 грн
250+ 14.61 грн
500+ 13.11 грн
1000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1553cdl.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
на замовлення 101307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.26 грн
12+ 27.81 грн
100+ 15.96 грн
1000+ 9.62 грн
3000+ 8.71 грн
9000+ 7.67 грн
24000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1553cdl.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1553cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 700/-500mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 700/-500mA
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.35/1.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3/1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
товар відсутній
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
товар відсутній
SI1553CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1553cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 700/-500mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 700/-500mA
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.35/1.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3/1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній