SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.64 грн |
| 6000+ | 13.38 грн |
| 9000+ | 12.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2307BDS-T1-E3 за ціною від 14.41 грн до 52.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V |
на замовлення 26662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 3.2A 1.25W |
на замовлення 92354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2307BDST1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.48W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI2307BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.48W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT23 |
товар відсутній |