Продукція > VISHAY > SI2308CDS-T1-GE3
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3 Vishay

si2308cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+27.08 грн
29+ 20.89 грн
100+ 11.08 грн
250+ 10.13 грн
500+ 9.63 грн
1000+ 7.95 грн
3000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI2308CDS-T1-GE3 за ціною від 5.75 грн до 32.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687463.pdf Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 56533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.4 грн
32+ 25.16 грн
100+ 14.33 грн
500+ 10.65 грн
1000+ 7.3 грн
5000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 25
SI2308CDS-T1-GE3
Код товару: 202447 		si2308cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+6.1 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+6.6 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 17850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.92 грн
6000+ 6.39 грн
9000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687463.pdf Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 56533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.33 грн
500+ 10.65 грн
1000+ 7.3 грн
5000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
541+22.5 грн
984+ 12.37 грн
997+ 12.22 грн
1007+ 11.67 грн
1219+ 8.92 грн
3000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 541
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 17859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.33 грн
16+ 19.22 грн
100+ 11.5 грн
500+ 9.99 грн
1000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+26.98 грн
822+ 14.81 грн
902+ 13.49 грн
1053+ 11.15 грн
1154+ 9.42 грн
2000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 452
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2308cds.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 198028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.48 грн
15+ 21.96 грн
100+ 10.57 грн
1000+ 7.17 грн
3000+ 6.88 грн
9000+ 6.6 грн
24000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності