Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (335001) > Сторінка 1020 з 5584

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1021 1022 1023 1024 1025 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
Si4430BDY-T1-E3 VISHAY si4430bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4430BDY-T1-GE3 VISHAY si4430bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.94 грн
5+ 61.17 грн
22+ 47.55 грн
60+ 44.98 грн
500+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+58.28 грн
39+ 27.64 грн
107+ 25.16 грн
1000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4434ADY-T1-GE3 VISHAY si4434ady.pdf SI4434ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4434DY-T1-E3 VISHAY si4434dy.pdf SI4434DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4434DY-T1-GE3 VISHAY si4434dy.pdf SI4434DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.59 грн
10+ 33.53 грн
39+ 26.96 грн
105+ 25.49 грн
1000+ 24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.1A; Idm: -50A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+57.32 грн
50+ 21.56 грн
137+ 19.61 грн
5000+ 19.07 грн
7500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.26 грн
10+ 28.74 грн
50+ 19.69 грн
70+ 14.82 грн
191+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 VISHAY si4436dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 25A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 VISHAY SI4436DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.8A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Si4442DY-T1-E3 VISHAY si4442dy.pdf SI4442DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4442DY-T1-GE3 VISHAY si4442dy.pdf SI4442DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.9 грн
10+ 35.84 грн
25+ 31.14 грн
42+ 24.57 грн
116+ 23.24 грн
1000+ 22.98 грн
2500+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4447DY-T1-E3 VISHAY si4447dy.pdf SI4447DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4447DY-T1-GE3 VISHAY si4447dy.pdf SI4447DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4451DY-T1-E3 VISHAY 72115.pdf SI4451DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4451DY-T1-GE3 VISHAY 72115.pdf SI4451DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4455DY-T1-E3 VISHAY si4455dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 5.9W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 315mΩ
Drain current: -2.8A
Drain-source voltage: -150V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4455DY-T1-GE3 VISHAY si4455dy.pdf SI4455DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
Si4456DY-T1-E3 VISHAY 73852.pdf SI4456DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4456DY-T1-GE3 VISHAY 73852.pdf SI4456DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY SI4459ADY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.33 грн
5+ 107.79 грн
14+ 77.18 грн
37+ 72.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4459BDY-T1-GE3 VISHAY si4459bdy.pdf SI4459BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4463BDY-E3 SI4463BDY-E3 VISHAY SI4463BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.1A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
5+ 74.62 грн
18+ 60.33 грн
47+ 56.78 грн
500+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4463BDY-T1-GE3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI4464DY-T1-E3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI4464DY-T1-GE3 VISHAY si4464dy.pdf SI4464DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4465ADY-T1-E3 VISHAY si4465ad.pdf SI4465ADY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4465ADY-T1-GE3 VISHAY si4465ad.pdf SI4465ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY si4477dy.pdf SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY SI4483ADY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.82 грн
5+ 95.81 грн
14+ 73.63 грн
39+ 69.2 грн
500+ 68.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4485DY-T1-GE3 VISHAY si4485dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4488DY-T1-E3 VISHAY si4488dy-090512.pdf SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4488DY-T1-GE3 VISHAY si4488dy-090512.pdf SI4488DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4490DY-E3 VISHAY SI4490DY-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4490DY-T1-E3 VISHAY si4490dy.pdf SI4490DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4490DY-T1-GE3 VISHAY si4490dy.pdf SI4490DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY si4491edy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.8A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 6.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY SI4497DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+143.31 грн
10+ 117.92 грн
11+ 102.02 грн
28+ 95.81 грн
100+ 93.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY si4501bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-8V; 12/-8A; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-8V
Drain current: 12/-8A
Power dissipation: 3.1/4.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8/±20V
On-state resistance: 37/20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.64 грн
10+ 43.85 грн
50+ 20.72 грн
137+ 19.59 грн
2500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4554DY-T1-GE3 VISHAY si4554dy.pdf SI4554DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
Si4559ADY-T1-E3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.4/3.1W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 150/72mΩ
Gate charge: 22/20nC
Drain current: 4.3/-3.2A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 2/2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.34 грн
10+ 63.84 грн
30+ 35.4 грн
80+ 33.45 грн
10000+ 32.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY si4564dy.pdf SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI4590DY-T1-GE3 VISHAY si4590dy.pdf SI4590DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.79 грн
43+ 24.87 грн
118+ 22.62 грн
7500+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4626ADY-T1-E3 VISHAY si4626ad.pdf SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4630DY-T1-E3 VISHAY 73685.pdf SI4630DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4630DY-T1-GE3 VISHAY 73685.pdf SI4630DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4634DY-T1-E3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4634DY-T1-GE3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4670DY-T1-GE3 VISHAY si4670dy.pdf SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
32+ 32.82 грн
87+ 31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4686DY-T1-GE3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY SI4800BDY-E3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+32.77 грн
25+ 29.48 грн
46+ 22.83 грн
124+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4430BDY-T1-GE3 si4430bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.94 грн
5+ 61.17 грн
22+ 47.55 грн
60+ 44.98 грн
500+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.28 грн
39+ 27.64 грн
107+ 25.16 грн
1000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
Виробник: VISHAY
SI4434ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4434DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4434DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.59 грн
10+ 33.53 грн
39+ 26.96 грн
105+ 25.49 грн
1000+ 24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.1A; Idm: -50A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.32 грн
50+ 21.56 грн
137+ 19.61 грн
5000+ 19.07 грн
7500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.26 грн
10+ 28.74 грн
50+ 19.69 грн
70+ 14.82 грн
191+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4436DY-T1-E3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 25A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY.pdf
SI4436DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.8A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Si4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4442DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4442DY-T1-GE3 si4442dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4442DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.9 грн
10+ 35.84 грн
25+ 31.14 грн
42+ 24.57 грн
116+ 23.24 грн
1000+ 22.98 грн
2500+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4447DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4447DY-T1-GE3 si4447dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4447DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4451DY-T1-E3 72115.pdf
Виробник: VISHAY
SI4451DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4451DY-T1-GE3 72115.pdf
Виробник: VISHAY
SI4451DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4455DY-T1-E3 si4455dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 5.9W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 315mΩ
Drain current: -2.8A
Drain-source voltage: -150V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4455DY-T1-GE3 si4455dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4455DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
Si4456DY-T1-E3 73852.pdf
Виробник: VISHAY
SI4456DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4456DY-T1-GE3 73852.pdf
Виробник: VISHAY
SI4456DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.33 грн
5+ 107.79 грн
14+ 77.18 грн
37+ 72.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4459BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4463BDY-E3 SI4463BDY-E3.pdf
SI4463BDY-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.1A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.21 грн
5+ 74.62 грн
18+ 60.33 грн
47+ 56.78 грн
500+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4463BDY-T1-GE3 si4463bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI4464DY-T1-GE3 si4464dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4464DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4465ADY-T1-E3 si4465ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4465ADY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4465ADY-T1-GE3 si4465ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4465ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4477DY-T1-GE3 si4477dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY.pdf
SI4483ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.82 грн
5+ 95.81 грн
14+ 73.63 грн
39+ 69.2 грн
500+ 68.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4485DY-T1-GE3 si4485dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
Виробник: VISHAY
SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4488DY-T1-GE3 si4488dy-090512.pdf
Виробник: VISHAY
SI4488DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4490DY-E3
Виробник: VISHAY
SI4490DY-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4490DY-T1-E3 si4490dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4490DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4490DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.8A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 6.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY.pdf
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.31 грн
10+ 117.92 грн
11+ 102.02 грн
28+ 95.81 грн
100+ 93.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-8V; 12/-8A; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-8V
Drain current: 12/-8A
Power dissipation: 3.1/4.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8/±20V
On-state resistance: 37/20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.64 грн
10+ 43.85 грн
50+ 20.72 грн
137+ 19.59 грн
2500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4554DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
Si4559ADY-T1-E3 si4559ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.4/3.1W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 150/72mΩ
Gate charge: 22/20nC
Drain current: 4.3/-3.2A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 2/2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.34 грн
10+ 63.84 грн
30+ 35.4 грн
80+ 33.45 грн
10000+ 32.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI4590DY-T1-GE3 si4590dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4590DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.79 грн
43+ 24.87 грн
118+ 22.62 грн
7500+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4626ADY-T1-E3 si4626ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4630DY-T1-E3 73685.pdf
Виробник: VISHAY
SI4630DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4630DY-T1-GE3 73685.pdf
Виробник: VISHAY
SI4630DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4634DY-T1-E3 si4634dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4634DY-T1-GE3 si4634dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4670DY-T1-GE3 si4670dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.21 грн
32+ 32.82 грн
87+ 31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4686DY-T1-GE3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI4800BDY-T1-E3 description SI4800BDY-E3.pdf
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.77 грн
25+ 29.48 грн
46+ 22.83 грн
124+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1021 1022 1023 1024 1025 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]