Продукція > VISHAY > SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2302CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33668-7
Price: 8.21 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-GE3 за ціною від 7.87 грн до 39.4 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
37+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 37

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 498000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	9.9 грн
9000+	8.92 грн
24000+	8.51 грн
45000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.12 грн
9000+	9.12 грн
24000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 498000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.66 грн
9000+	9.6 грн
24000+	9.17 грн
45000+	8.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.84 грн
9000+	9.76 грн
24000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

на замовлення 48900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	11.52 грн
6000+	10.53 грн
9000+	9.78 грн
30000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 276000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	13.15 грн
69000+	12.02 грн
138000+	11.18 грн
207000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	13.15 грн
21000+	12.02 грн
42000+	11.18 грн
63000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
21+	29.6 грн
25+	24.64 грн
100+	19.2 грн
500+	14.97 грн
1000+	11.27 грн

Мінімальне замовлення: 21

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 80118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
27+	29.71 грн
50+	25.17 грн
100+	20.64 грн
500+	16.12 грн
1500+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 27

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23

на замовлення 289843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	32.52 грн
13+	26.61 грн
100+	18.05 грн
500+	14.64 грн
1000+	11.92 грн
3000+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.46W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 57mΩ
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 20V

на замовлення 3336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	32.84 грн
50+	21.56 грн
86+	9.95 грн
236+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

на замовлення 50989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	34.68 грн
11+	28.17 грн
100+	19.56 грн
500+	14.33 грн
1000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3336 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	39.4 грн
50+	26.87 грн
86+	11.93 грн
236+	11.24 грн
9000+	10.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY TSI2302cds
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	11.05 грн

Мінімальне замовлення: 50

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній