Продукція > VISHAY > SI2318CDS-T1-GE3
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3 Vishay

si2318cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2318CDS-T1-GE3 за ціною від 6.46 грн до 34.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.85 грн
9000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.05 грн
6000+ 8.27 грн
12000+ 7.7 грн
18000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.69 грн
9000+ 9.15 грн
24000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245434.pdf Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.036 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 194150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.99 грн
500+ 11.69 грн
1500+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
462+26.16 грн
841+ 14.38 грн
849+ 14.23 грн
859+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 462
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.93 грн
17+ 21.42 грн
50+ 15.39 грн
88+ 9.48 грн
242+ 8.96 грн
500+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245434.pdf Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.036 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 194150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+28.93 грн
50+ 21.5 грн
100+ 13.99 грн
500+ 11.69 грн
1500+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.91 грн
13+ 23.09 грн
100+ 13.84 грн
500+ 12.03 грн
1000+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+31.6 грн
31+ 19.4 грн
100+ 13.14 грн
250+ 12.05 грн
500+ 11.44 грн
1000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2318cds.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 182246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
13+ 25.41 грн
100+ 11.57 грн
1000+ 8.78 грн
9000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
356+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 356
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.71 грн
11+ 26.69 грн
50+ 18.47 грн
88+ 11.37 грн
242+ 10.75 грн
500+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2318CDS-T1-GE3
Код товару: 148867 		si2318cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній