Продукція > VISHAY > SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3 Vishay

72014.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SI2315BDS-T1-GE3 за ціною від 13.59 грн до 62.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72014.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.02 грн
6000+ 16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
507+24.16 грн
526+ 23.29 грн
1000+ 22.52 грн
2500+ 21.08 грн
5000+ 18.99 грн
Мінімальне замовлення: 507
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
498+24.57 грн
500+ 24.46 грн
559+ 21.92 грн
1000+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 498
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+41.94 грн
12+ 33.29 грн
59+ 14.33 грн
162+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72014.pdf Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+46.29 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 18.99 грн
Мінімальне замовлення: 150
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72014.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 15564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.55 грн
10+ 39.53 грн
100+ 30.27 грн
500+ 22.46 грн
1000+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix 72014.pdf MOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V
на замовлення 168158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.97 грн
10+ 40.8 грн
100+ 24.97 грн
500+ 21.16 грн
1000+ 18.06 грн
3000+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.33 грн
10+ 41.48 грн
59+ 17.19 грн
162+ 16.31 грн
9000+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72014.pdf Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.99 грн
14+ 58.32 грн
100+ 46.29 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 18.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній