Продукція > VISHAY > SI2319CDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3 Vishay

si2319cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-GE3 за ціною від 10.19 грн до 54.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
936+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 936
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.09 грн
6000+ 11.97 грн
9000+ 11.11 грн
30000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.65 грн
6000+ 18.87 грн
12000+ 17.56 грн
18000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 420170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.7 грн
500+ 18.08 грн
1000+ 15.28 грн
5000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+36.74 грн
13+ 29.18 грн
50+ 16.7 грн
138+ 15.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 44725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.45 грн
10+ 31.94 грн
100+ 22.21 грн
500+ 16.28 грн
1000+ 13.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+39.93 грн
18+ 34.12 грн
25+ 32.61 грн
100+ 22.71 грн
250+ 20.82 грн
500+ 15.53 грн
1000+ 13.28 грн
3000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 116732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.63 грн
10+ 35.18 грн
100+ 21.33 грн
500+ 16.66 грн
1000+ 13.52 грн
3000+ 11.29 грн
9000+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.09 грн
10+ 36.37 грн
50+ 20.04 грн
138+ 18.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 420170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.69 грн
21+ 38.93 грн
100+ 24.7 грн
500+ 18.08 грн
1000+ 15.28 грн
5000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1GE3 p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній