SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.52 грн |
| 6000+ | 19.64 грн |
| 9000+ | 18.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2316DS-T1-E3 за ціною від 20.18 грн до 63.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2316DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2316DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2316DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2316DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V |
на замовлення 11303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2316DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V |
на замовлення 6835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2316DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.45W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|