Продукція > VISHAY > SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 Vishay

si2308bds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+9.9 грн
Мінімальне замовлення: 33
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308BDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-GE3 за ціною від 10.05 грн до 56.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.44 грн
6000+ 11.87 грн
9000+ 11.32 грн
15000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012000276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 55271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.44 грн
500+ 15.57 грн
1500+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
378+31.89 грн
489+ 24.69 грн
507+ 23.82 грн
614+ 18.95 грн
1000+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 378
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+35.88 грн
13+ 28.97 грн
14+ 26.14 грн
25+ 23.54 грн
66+ 12.82 грн
180+ 12.09 грн
1000+ 11.73 грн
3000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.5 грн
22+ 28.27 грн
100+ 20.95 грн
500+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+39.15 грн
20+ 30.41 грн
25+ 29.62 грн
100+ 22.11 грн
250+ 19.75 грн
500+ 15.64 грн
1000+ 10.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 297881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.53 грн
11+ 31.18 грн
100+ 20.16 грн
500+ 16.2 грн
1000+ 13.56 грн
3000+ 10.57 грн
9000+ 10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012000276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 55271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.8 грн
50+ 34.16 грн
100+ 26.44 грн
500+ 15.57 грн
1500+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2308bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.05 грн
8+ 36.1 грн
10+ 31.37 грн
25+ 28.24 грн
66+ 15.38 грн
180+ 14.51 грн
1000+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 15463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.4 грн
10+ 33.75 грн
100+ 21.87 грн
500+ 15.69 грн
1000+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2308BDS-T1-GE3
Код товару: 172429 		Виробник : VISHAY Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 2.3 A
Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5
товар відсутній
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній