Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1926dl.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.33 грн
6000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 510mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1926DL-T1-GE3 за ціною від 7.94 грн до 30.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.89 грн
13+ 22.79 грн
100+ 15.84 грн
500+ 11.61 грн
1000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1926dl.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 34751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.25 грн
13+ 24.93 грн
100+ 15.12 грн
500+ 11.99 грн
1000+ 9.06 грн
3000+ 8.22 грн
9000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI1926DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній