Name: SI2319DDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 812089-7
Price: 10.29 UAH
Availability: InStock

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	11.33 грн
6000+	10.36 грн
9000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 42810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	21.29 грн
500+	12.71 грн
1500+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	22.1 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	30.07 грн
17+	22.78 грн
20+	19.03 грн
25+	17.19 грн
66+	13.01 грн
181+	12.34 грн
1000+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 26729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	33.57 грн
11+	27.7 грн
100+	19.24 грн
500+	14.1 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 42810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
24+	34.11 грн
50+	27.7 грн
100+	21.29 грн
500+	12.71 грн
1500+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 24

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1326 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	36.08 грн
10+	28.39 грн
12+	22.84 грн
25+	20.63 грн
66+	15.61 грн
181+	14.81 грн
1000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay / Siliconix

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 150392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	36.7 грн
11+	30.18 грн
100+	18.62 грн
500+	14.53 грн
1000+	11.78 грн
3000+	10.58 грн
9000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SI2319DDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SI2319DDS-T1-GE3 Vishay

Технічний опис SI2319DDS-T1-GE3 Vishay

Інші пропозиції SI2319DDS-T1-GE3 за ціною від 9.59 грн до 36.7 грн