![SI2304BDS-T1-E3 SI2304BDS-T1-E3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2588/SOT-23-3 PKG.jpg)
SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
![si2304bds.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.63 грн |
6000+ | 7.97 грн |
9000+ | 7.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2304BDS-T1-E3 за ціною від 8.48 грн до 51.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 18149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V |
на замовлення 17140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 182329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2304BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |