Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (334991) > Сторінка 1015 з 5584

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1010 1011 1012 1013 1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SG347R00JR18 SG347R00JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.44 грн
10+ 116.08 грн
18+ 58.55 грн
49+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SGL41-20-E3/96 VISHAY bym13.pdf SGL41-20-E3/96 SMD Schottky diodes
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.92 грн
47+ 22.13 грн
129+ 20.92 грн
1500+ 20.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
SGL41-30-E3/96 VISHAY irlz44.pdf SGL41-30-E3/96 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
SGL41-40-E3/96 VISHAY bym13.pdf SGL41-40-E3/96 SMD Schottky diodes
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.74 грн
56+ 18.66 грн
153+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
SGL41-50-E3/96 VISHAY bym13.pdf SGL41-50-E3/96 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
SGL41-60-E3/96 VISHAY bym13.pdf SGL41-60-E3/96 SMD Schottky diodes
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.97 грн
61+ 17.28 грн
166+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY si1012cr.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Case: SC75A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
On-state resistance: 396mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.35 грн
13+ 21.93 грн
50+ 13.31 грн
100+ 11.71 грн
125+ 8.25 грн
343+ 7.81 грн
2000+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1012R-T1-GE3 VISHAY si1012rx.pdf SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.14 грн
56+ 18.81 грн
153+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1012X-T1-GE3 VISHAY SI1012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.53 грн
16+ 18.33 грн
25+ 12.15 грн
100+ 9.32 грн
181+ 5.77 грн
497+ 5.41 грн
9000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1013R-T1-GE3 VISHAY si1013rx.pdf SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 VISHAY si1013rx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.275W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 VISHAY si1016cx.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2/2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.35 грн
11+ 27.27 грн
25+ 21.03 грн
96+ 10.91 грн
263+ 10.29 грн
3000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1016X-T1-GE3 VISHAY si1016x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 515/-390mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7/1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1021R-T1-GE3 VISHAY SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1022R-T1-GE3
+1
 		SI1022R-T1-GE3 VISHAY SI1022R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.13W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC75A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.8 грн
25+ 22.29 грн
63+ 16.41 грн
174+ 15.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1023X-T1-GE3 VISHAY si1023x.pdf SI1023X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1024X-T1-GE3 VISHAY si1024x.pdf SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 VISHAY si1025x.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1026X-T1-GE3 VISHAY si1026x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1029X-T1-GE3 VISHAY si1029x.pdf SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1031R-T1-GE3 VISHAY si1031r.pdf SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.61 грн
73+ 14.37 грн
198+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI1032X-T1-GE3 VISHAY si1032rx.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 210mA; Idm: 0.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1034CX-T1-GE3 VISHAY si1034cx.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.49A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1034X-T1-GE3 VISHAY si1034x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.53 грн
12+ 23.95 грн
100+ 13.84 грн
141+ 7.36 грн
389+ 7.01 грн
75000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1040X-T1-GE3 VISHAY si1040x.pdf SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
SI1050X-T1-GE3 VISHAY si1050x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 236mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.06 грн
16+ 17.69 грн
25+ 12.63 грн
50+ 10.45 грн
100+ 8.6 грн
189+ 5.53 грн
518+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI1070X-T1-GE3 VISHAY si1070x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Case: SC89; SOT563
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1077X-T1-GE3 SI1077X-T1-GE3 VISHAY si1077x.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.26 грн
10+ 27.73 грн
100+ 15.88 грн
113+ 9.23 грн
311+ 8.69 грн
6000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
Si1078X-T1-GE3 VISHAY si1078x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.02A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.24W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1079X-T1-GE3 VISHAY si1079x.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.44A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1302DL-T1-E3 VISHAY si1302dl.pdf SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1302DL-T1-GE3 VISHAY 71249.pdf SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.7 грн
82+ 12.69 грн
226+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Version: ESD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.44 грн
10+ 27.82 грн
50+ 18.54 грн
90+ 11.53 грн
247+ 10.91 грн
500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1317DL-T1-BE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.3 грн
11+ 25.33 грн
25+ 15.26 грн
99+ 10.47 грн
271+ 9.94 грн
1000+ 9.76 грн
3000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1330EDL-T1-BE3 VISHAY SI1330ED.pdf SI1330EDL-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1330EDL-T1-E3 VISHAY SI1330ED.pdf SI1330EDL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1330EDL-T1-GE3 VISHAY si1330ed.pdf SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY si1401edh.pdf SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1403BDL-T1-E3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1403BDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY si1403cd.pdf SI1403CDL-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1411DH-T1-GE3 VISHAY si1411dh.pdf SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1416EDH-T1-GE3 VISHAY si1416ed.pdf SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY si1424ed.pdf SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1427EDH-T1-GE3 VISHAY si1427ed.pdf SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1428EDH-T1-GE3 VISHAY SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1441EDH-T1-GE3 VISHAY si1441ed.pdf SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.39 грн
13+ 22.76 грн
25+ 14.99 грн
100+ 9.67 грн
118+ 8.78 грн
325+ 8.34 грн
3000+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1467DH-T1-E3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1467DH-T1-GE3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1469DH-T1-E3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1469DH-T1-GE3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1480DH-T1-GE3 VISHAY si1480dh.pdf SI1480DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SG347R00JR18 VISHAY_sg.pdf
SG347R00JR18
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.44 грн
10+ 116.08 грн
18+ 58.55 грн
49+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SGL41-20-E3/96 bym13.pdf
Виробник: VISHAY
SGL41-20-E3/96 SMD Schottky diodes
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.92 грн
47+ 22.13 грн
129+ 20.92 грн
1500+ 20.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
SGL41-30-E3/96 irlz44.pdf
Виробник: VISHAY
SGL41-30-E3/96 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
SGL41-40-E3/96 bym13.pdf
Виробник: VISHAY
SGL41-40-E3/96 SMD Schottky diodes
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.74 грн
56+ 18.66 грн
153+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
SGL41-50-E3/96 bym13.pdf
Виробник: VISHAY
SGL41-50-E3/96 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
Виробник: VISHAY
SGL41-60-E3/96 SMD Schottky diodes
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.97 грн
61+ 17.28 грн
166+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Case: SC75A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
On-state resistance: 396mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.35 грн
13+ 21.93 грн
50+ 13.31 грн
100+ 11.71 грн
125+ 8.25 грн
343+ 7.81 грн
2000+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.14 грн
56+ 18.81 грн
153+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1012X-T1-GE3 SI1012.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.53 грн
16+ 18.33 грн
25+ 12.15 грн
100+ 9.32 грн
181+ 5.77 грн
497+ 5.41 грн
9000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -400mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.275W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1016CX-T1-GE3 si1016cx.pdf
SI1016CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2/2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.35 грн
11+ 27.27 грн
25+ 21.03 грн
96+ 10.91 грн
263+ 10.29 грн
3000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1016X-T1-GE3 si1016x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 515/-390mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7/1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1021R-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1022R-T1-GE3 SI1022R.pdf
SI1022R-T1-GE3
+1
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.13W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC75A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.8 грн
25+ 22.29 грн
63+ 16.41 грн
174+ 15.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1023X-T1-GE3 si1023x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1023X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1024X-T1-GE3 si1024x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1029X-T1-GE3 si1029x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
SI1031R-T1-GE3 si1031r.pdf
Виробник: VISHAY
SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1032R-T1-GE3 si1032r.pdf
Виробник: VISHAY
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.61 грн
73+ 14.37 грн
198+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI1032X-T1-GE3 si1032rx.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 210mA; Idm: 0.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1034CX-T1-GE3 si1034cx.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.49A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SI1034X-T1-GE3 si1034x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.53 грн
12+ 23.95 грн
100+ 13.84 грн
141+ 7.36 грн
389+ 7.01 грн
75000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1040X-T1-GE3 si1040x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
SI1050X-T1-GE3 si1050x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 236mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.06 грн
16+ 17.69 грн
25+ 12.63 грн
50+ 10.45 грн
100+ 8.6 грн
189+ 5.53 грн
518+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Case: SC89; SOT563
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1077X-T1-GE3 si1077x.pdf
SI1077X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.26 грн
10+ 27.73 грн
100+ 15.88 грн
113+ 9.23 грн
311+ 8.69 грн
6000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
Si1078X-T1-GE3 si1078x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.02A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.24W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1079X-T1-GE3 si1079x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.44A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1302DL-T1-E3 si1302dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1302DL-T1-GE3 71249.pdf
Виробник: VISHAY
SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.7 грн
82+ 12.69 грн
226+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Version: ESD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.44 грн
10+ 27.82 грн
50+ 18.54 грн
90+ 11.53 грн
247+ 10.91 грн
500+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1317DL-T1-BE3 si1317dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1317DL-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
SI1317DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.3 грн
11+ 25.33 грн
25+ 15.26 грн
99+ 10.47 грн
271+ 9.94 грн
1000+ 9.76 грн
3000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1330EDL-T1-BE3 SI1330ED.pdf
Виробник: VISHAY
SI1330EDL-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1330EDL-T1-E3 SI1330ED.pdf
Виробник: VISHAY
SI1330EDL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1330EDL-T1-GE3 si1330ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1403BDL-T1-E3 si1403bdl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1403BDL-T1-GE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI1403CDL-T1-GE3 si1403cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI1403CDL-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1411DH-T1-GE3 si1411dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1424EDH-T1-GE3 si1424ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1428EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SI1441EDH-T1-GE3 si1441ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.39 грн
13+ 22.76 грн
25+ 14.99 грн
100+ 9.67 грн
118+ 8.78 грн
325+ 8.34 грн
3000+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1467DH-T1-E3 si1467dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1467DH-T1-GE3 si1467dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1469DH-T1-GE3 si1469dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI1480DH-T1-GE3 si1480dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1480DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 558 1010 1011 1012 1013 1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1116 1674 2232 2790 3348 3906 4464 5022 5580 5584  [ Наступна Сторінка >> ]