Продукція > VISHAY > SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3 Vishay

doc73235.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2312BDS-T1-E3 за ціною від 9.85 грн до 47.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2312bds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.72 грн
6000+ 11.35 грн
9000+ 10.88 грн
15000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay doc73235.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.76 грн
6000+ 12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay doc73235.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay doc73235.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.77 грн
6000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay doc73235.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+21.31 грн
31+ 19.82 грн
100+ 16.01 грн
250+ 14.75 грн
500+ 12.26 грн
1000+ 11.15 грн
3000+ 11.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay doc73235.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
571+21.35 грн
681+ 17.88 грн
685+ 17.79 грн
791+ 14.85 грн
1000+ 13.53 грн
3000+ 12.78 грн
Мінімальне замовлення: 571
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.76 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 15.49 грн
5000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2312bds.pdf MOSFETs N-Channel 20V 3.9A
на замовлення 263161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.93 грн
11+ 30.36 грн
100+ 19.73 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 13.7 грн
3000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2312bds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
на замовлення 27421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.53 грн
11+ 28.76 грн
100+ 19.58 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.85 грн
21+ 39.65 грн
100+ 24.76 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 15.49 грн
5000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2312bds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
SI2312BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 15A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
SI2312BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 15A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
товару немає в наявності