Продукція > VISHAY > SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3 Vishay

si2301cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.142 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 860mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2301CDS-T1-GE3 за ціною від 5.1 грн до 27.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.07 грн
6000+ 6.52 грн
9000+ 5.87 грн
30000+ 5.43 грн
75000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049129.pdf Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.142 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.44 грн
9000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.53 грн
24000+ 10.53 грн
48000+ 9.8 грн
72000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.53 грн
75000+ 10.53 грн
150000+ 9.8 грн
225000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+11.57 грн
39+ 9.44 грн
100+ 8.49 грн
111+ 7.67 грн
306+ 7.25 грн
3000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.37 грн
500+ 8.35 грн
1500+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6087 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+13.88 грн
25+ 11.76 грн
100+ 10.19 грн
111+ 9.21 грн
306+ 8.7 грн
3000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+24.7 грн
50+ 19.08 грн
100+ 13.37 грн
500+ 8.35 грн
1500+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 32
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 160099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.39 грн
15+ 19.53 грн
100+ 11.74 грн
500+ 10.2 грн
1000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2301cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 164199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.97 грн
15+ 21.56 грн
100+ 11.29 грн
500+ 10.45 грн
1000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2301CDS-T1-GE3
Код товару: 155778 		si2301cd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній