Продукція > TPH
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPH-005 | THE PI HUT | Description: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2 tariffCode: 85369010 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Außentiefe: 69mm Außenhöhe: 33mm Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4 usEccn: EAR99 Außenbreite: 98mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH-100 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-100 | Eaton Bussmann | Description: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-125 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-125 | Eaton Bussmann | Description: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-150 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-150 | Eaton Bussmann | Description: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-200 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-200 | Eaton Bussmann | Description: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-225 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-225 | Eaton Bussmann | Description: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-250 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR Packaging: Bulk Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt) Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm) Fuse Type: Cartridge Current Rating (Amps): 250A Mounting Type: Bolt Mount Applications: Telecom Approval Agency: CE, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA Part Status: Active Voltage Rating - DC: 170 VDC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-250 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-300 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH-300 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-400 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-400 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-450 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-450 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR Packaging: Bulk Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt) Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm) Fuse Type: Cartridge Current Rating (Amps): 450A Mounting Type: Bolt Mount Applications: Telecom Approval Agency: CE, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA Part Status: Active Voltage Rating - DC: 170 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-500 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR Packaging: Bulk Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt) Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm) Fuse Type: Cartridge Current Rating (Amps): 500A Mounting Type: Bolt Mount Applications: Telecom Approval Agency: CE, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA Voltage Rating - DC: 170 VDC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-600 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-600 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-70 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-70 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-80 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR Packaging: Bulk Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt) Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm) Fuse Type: Cartridge Current Rating (Amps): 80A Mounting Type: Bolt Mount Applications: Telecom Approval Agency: CE, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA Voltage Rating - DC: 170 VDC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-80 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH-HT Код товару: 21596 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH0001 | SolidRun | HummingBoardThermal Pad20*20*0.5MM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH0603-100M-F0 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V | на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11003NLLQ(S | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET | на замовлення 91010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 32840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 34W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 50112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 34W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 34W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 50112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH11006NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH11006NLLQ(S | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1100CQ5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1100CQ5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1100CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1100CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q | Toshiba | MOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110ENHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 11253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q | Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V | на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1110FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W | на замовлення 3822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH12008NHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH14006NH | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q | Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET | на замовлення 3781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 9451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH14006NHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH14006NHL1Q(M-X | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400ANH | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 218-227 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1400ANH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400ANHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1400CQH,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1400CQH,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V | на замовлення 12153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS | на замовлення 22238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNH,LQ(M1 | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH,LQ(M1 | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNH,LQ(M1 | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ | Toshiba | MOSFET 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1500CNH1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1500CNHLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PL | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V | на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 280A; Idm: 500A; 170W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 280A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 14245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q(M | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS | на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 14245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q(M | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 280A; Idm: 500A; 170W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 280A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R005PLLQ(M1 | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R104PB,L1Q(O | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R104PB,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 6113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R104PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | на замовлення 7774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R104PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R104PBL1Q(O | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V | на замовлення 30284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PB,L1Q(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PB,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W | на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V | на замовлення 5414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 246A; 132W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 246A Power dissipation: 132W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 246A; 132W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 246A Power dissipation: 132W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL,L1Q(M Код товару: 176221 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
TPH1R204PL,LQ(M1 | Toshiba | TPH1R204PL,LQ(M1 | на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V | на замовлення 3063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ | Toshiba | MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ(M | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm | на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ(M | Toshiba | TPH1R204PL1,LQ(M | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm | на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R204PL1,LQ(MW | Toshiba | HALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1LQ(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PL1LQ(MW | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R204PLLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306P1,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | на замовлення 17591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306P1,L1Q | Toshiba | MOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS | на замовлення 37905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306P1,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306P1,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306P1,L1Q(M | Toshiba | Silicon N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306P1,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | на замовлення 13079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 9804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL,L1Q(M | Toshiba | Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ | Toshiba | MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max) | на замовлення 46577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | на замовлення 7397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ(M | Toshiba | TPH1R306PL1,LQ(M | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R306PL1LQ(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R306PLLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NL | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NL,L1Q | Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R403NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | на замовлення 4066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R403NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH1R403NL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R403NL1,LQ(M | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NL1,LQ(M | Toshiba | TPH1R403NL1,LQ(M | на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R403NL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R403NL1LQ(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R403NLL1Q(M-X | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 5000 шт: термін постачання 172-181 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R405PL,L1Q(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R405PLL1Q(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MD | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V | на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q | Toshiba | MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI | на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 12409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 12409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH1R712MD,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH1R712MDL1Q(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2010FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2010FNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2010FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 8954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2010FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2010FNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 10A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2010FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2501-TR | 3PEAK | Description: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 8mA Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: SOT-23-5 Number of Circuits: 1 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 90 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2501-TR | 3PEAK | Description: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 8mA Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: SOT-23-5 Number of Circuits: 1 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 90 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2501-TR | 3PEAK | High-speed broadband amplifier 1 120MHz 180 V/us 2.5V ~ 5.5V 6.5mA SOT-23-5 GenS TPH2501-TR SOT23-5 3PEAK WOTPH2501 3PE кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2502-SR | 3PEAK | Description: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 8-SOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2502-SR | 3PEAK | Description: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 8-SOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 3679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2502-VR | 3PEAK | Description: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 8-MSOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2502-VR | 3PEAK | Description: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 8-MSOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2502-VR-S | 3PEAK | Description: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 3 mV Supplier Device Package: 8-MSOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 90 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2502-VR-S | 3PEAK | Description: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 3 mV Supplier Device Package: 8-MSOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 90 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2503-TR | 3PEAK | Description: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: SOT-23-6 Number of Circuits: 1 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2503-TR | 3PEAK | Description: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: SOT-23-6 Number of Circuits: 1 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2504-TR | 3PEAK | Description: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 14-TSSOP Number of Circuits: 4 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2504-TR | 3PEAK | Description: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels) Slew Rate: 200V/µs Gain Bandwidth Product: 120 MHz Current - Input Bias: 3 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 14-TSSOP Number of Circuits: 4 Current - Output / Channel: 290 mA -3db Bandwidth: 250 MHz Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2900ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | на замовлення 19965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2900ENH,L1Q | Toshiba | MOSFET Power MOSFET N-Channel | на замовлення 12836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2900ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2900ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | на замовлення 8315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2900ENH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 36A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2900ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | на замовлення 8315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R003PL,LQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V | на замовлення 10998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R003PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R003PL,LQ(S | Toshiba | TPH2R003PL,LQ(S | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R003PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R104PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V | на замовлення 11608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R104PL,LQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 51560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R104PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R104PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0016 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R104PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R104PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0016 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET | на замовлення 8791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q Код товару: 149945 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 130A Power dissipation: 78W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 130A Power dissipation: 78W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 60V 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ | Toshiba | MOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max) | на замовлення 41474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V | на замовлення 12281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ(M | Toshiba | TPH2R306NH1,LQ(M | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306NH1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NH1LQ(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306NHLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306PL,L1Q | Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306PL1,LQ(M | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R306PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R306PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q | Toshiba | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=210W F=1MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q | Toshiba | MOSFETs 2-5Q1S 80V 120A N-CH MOSFET | на замовлення 131958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V | на замовлення 26846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A | на замовлення 4718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QM,L1Q(M | Toshiba | MOSFET Silicon N-channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R408QM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QM,LQ(M1 | Toshiba | LVMOS SOP8-ADV, ACTIVE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R408QM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R408QML1Q(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W | на замовлення 23652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V | на замовлення 56445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R506PL,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm | на замовлення 3427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PL,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm | на замовлення 3427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R506PLL1Q(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R608NH | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 5084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba | MOSFET Power MOSFET N-Channel Single | на замовлення 14209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 5084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V | на замовлення 112719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm | на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm | на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 9549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R608NHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R805PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R805PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 124A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 81W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 124A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 81W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH2R903PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3202LD | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN Packaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3202LS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3202LS | Transphorm | Transphorm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3202PD | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3202PS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3205WSB | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3205WSBQA | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3205WSBQA | Transphorm | MOSFET GAN FET 650V 35A TO247 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3206LD | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN Packaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206LDB | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN Packaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206LDG-TR | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN Packaging: Tray Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206LDGB | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206LS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206LSB | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206LSGB | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN Packaging: Tray Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3206PD | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3206PS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3206PSB | Transphorm | MOSFET 650V, 150mO | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH3206PSB | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3207WS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3208LD | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN Packaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3208LDG | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3208LS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3208LSG | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3208PD | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3208PS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3208PS | Transphorm | MOSFET GAN FET 650V 20A TO220 | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH3212PS | Transphorm | MOSFET GAN FET 650V 27A TO220 | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH3212PS | Transphorm | Description: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba | TPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba | TPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V | на замовлення 5764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V | на замовлення 12790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba | TPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 12746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 12746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3300CNHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 30V Drain current: 134A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 30V Drain current: 134A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R003PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R008QM,LQ | Toshiba | MOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm | на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R008QM,LQ(M1 | Toshiba | HALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ | Toshiba | MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm | на замовлення 4988 шт: термін постачання 64-73 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ | Toshiba | Silicon N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0025 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0025 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R10AQM,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R10AQMLQ(M1 | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R203NL | на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q | Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | на замовлення 8479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R203NLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R506PL | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ(S | Toshiba | TPH3R506PL,LQ(S | на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R506PL,LQ(S | Toshiba | TPH3R506PL,LQ(S | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R506PLLQ(S | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PC,LQ | Toshiba | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADV PD=90W F=1MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PC,LQ | Toshiba | MOSFETs SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PC,LQ(S | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PL | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V | на замовлення 100276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs 40 Volt N-Channel | на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm | на замовлення 3897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm | на замовлення 3897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R704PLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL,L1Q | Toshiba | MOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET | на замовлення 26119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL,L1Q | Toshiba | X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=170W F=1MHZ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APL,L1Q(M | Toshiba | MOSFET N-CH Si 100V 150A T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL,L1Q(M | Toshiba | MOSFET N-CH Si 100V 150A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APL,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL1,LQ | Toshiba | MOSFET 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm | на замовлення 9907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | на замовлення 9105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm | на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm | на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH3R70APLL1Q(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH3R70APLLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 4868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R003NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET | на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V | на замовлення 12330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 995000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008NH1LQ | Toshiba | Toshiba 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NH1LQ(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008NHLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008QM | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V | на замовлення 2128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Toshiba | MOSFETs SOP8 80V 86A N-CH MOSFET | на замовлення 5724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 | на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R008QMLQ(M1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET | на замовлення 21806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 67W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm | на замовлення 7553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 67W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 67W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm | на замовлення 7553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R10ANLL1Q(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 10661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET | на замовлення 3933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 78W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 78W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 78W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 78W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH4R50ANH,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R50ANH1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH1,LQ | Toshiba | MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm | на замовлення 11790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 6995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R50ANH1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q Код товару: 179170 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba | N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 107 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q | TOSHIBA | TPH4R606NH SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 19699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH4R803PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V | на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R803PL,LQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 26632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R803PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R803PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH4R803PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH520 | RCA | Description: RCA - TPH520 - Connector A:USB Type A Plug Kabellänge - Imperial: 6 Mantelfarbe: Black USB-Version: USB 2.0 Elektronische Kennzeichnung / Markierung: - Steckverbinder auf Steckverbinder: Type A Plug to Type B Plug Kabellänge - Metrisch: 1.82 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs Power MOSFET N-Channel | на замовлення 36187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | на замовлення 18635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5200FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5200FNHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V | на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV | на замовлення 12973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5900CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5900CNHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5R60APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R60APL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R60APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V | на замовлення 8184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R60APL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R60APL,L1Q(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5R60APL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | на замовлення 24969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET | на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R906NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH5R906NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH5R906NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1HQ(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 17335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba | MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V | на замовлення 20367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6400ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R003NL | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ | Toshiba | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 117A Drain-source voltage: 30V Drain current: 57A On-state resistance: 8.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 117A Drain-source voltage: 30V Drain current: 57A On-state resistance: 8.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ | Toshiba | MOSFET N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W | на замовлення 20865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R004PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R008QM,LQ | Toshiba | MOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R008QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R008QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET | на замовлення 10871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V | на замовлення 5166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A Mounting: SMD Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A On-state resistance: 10.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOP8A Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 55nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q(M | Toshiba | Silicon N-channel MOSFETs | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH6R30ANL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A Mounting: SMD Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A On-state resistance: 10.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOP8A Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 55nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH707KK Код товару: 21611 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Угловое соединение столешниц 1100х1100 мм, нагрузка 150 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH707KK ESD Код товару: 21612 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Угловое соединение столешниц 1100х1100 мм, нагрузка 150 кг, антистатическое | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH712 Код товару: 21222 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 700х1200мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм,нагрузка 300 кг, | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH712 ESD Код товару: 21223 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 700х1200мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH712 L Код товару: 21548 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1200, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH712L ESD Код товару: 21585 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1200, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH715 ESD Код товару: 21225 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 700х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH715 L Код товару: 21549 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH715-3 Код товару: 106391 | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: TRESTON | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
TPH715L ESD Код товару: 21586 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH718 Код товару: 21226 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 700х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH718 ESD Код товару: 21227 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 700х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH718 L Код товару: 21550 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH718L ESD Код товару: 21587 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V | на замовлення 26547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R006PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W | на замовлення 18120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R006PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R006PL,L1Q(M | Toshiba | TRANSISTOR/NFET 60V 64A POWERPAK SO8 6.6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH7R006PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V | на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W | на замовлення 21240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 0.0054 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R204PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 0.0054 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R506NH,L1Q | Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET | на замовлення 19324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V | на замовлення 26087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R506NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH7R506NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH7R506NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R008NH,L1Q | Toshiba | MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V | на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 63A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R808QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R808QM,LQ | Toshiba | MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 181-190 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R808QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R808QM,LQ(M1 | Toshiba | HALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R808QMLQ(M1 | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R80ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V | на замовлення 29290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R80ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R80ANH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC | на замовлення 9984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R80ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 61W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R80ANH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R80ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R80ANHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R903NL,LQ | Toshiba | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V | на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R903NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH8R903NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH8R903NLLQ(S | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH909KK Код товару: 21615 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Угловое соединение столешниц 1300х1300 мм, нагрузка 150 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH909KK ESD Код товару: 21616 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Угловое соединение столешниц 1300х1300 мм, нагрузка 150 кг, антистатическое | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH915 Код товару: 21228 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 900х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH915 ESD Код товару: 21229 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 900х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH915L Код товару: 21588 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH915L ESD Код товару: 21589 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH918 Код товару: 21230 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 900х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH918 ESD Код товару: 21231 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол с полками, 900х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH918 L Код товару: 21551 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 900х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH918L ESD Код товару: 21590 | TRESTON | Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH9R00CQ5,LQ | Toshiba | MOSFET 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm | на замовлення 9612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQ5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQ5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQ5,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH9R00CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V | на замовлення 9131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ | Toshiba | MOSFET | на замовлення 20070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ(M1 | Toshiba | TPH9R00CQH,LQ(M1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ(M1 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R506PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R506PL,LQ | Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 14247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R506PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V | на замовлення 13499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R506PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPH9R506PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPH9R506PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHCS-B-E | Bussmann / Eaton | Circuit Breaker Accessories TPHCS BASE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-E | Eaton Bussmann | Description: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-EAV | Eaton | Description: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-EAV | Bussmann / Eaton | Circuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-EL | Bussmann / Eaton | Circuit Breaker Accessories TPHCS BASE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-EL | Eaton Bussmann | Description: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-M | Eaton Bussmann | Description: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-MAV | Bussmann / Eaton | Circuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-MAV | Eaton | Description: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-ML | Bussmann / Eaton | Circuit Breaker Accessories TPHCS BASE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS-B-ML | Eaton Bussmann | Description: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-E | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-E | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 250 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-EAV | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-EAV | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-EL | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-EL | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 250 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-M | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-M | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 250 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-MAV | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-MAV | Eaton | Description: FUSE HLDR BLADE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TPHCS250-ML | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-ML | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 250 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-P | Bussmann / Eaton | Fuse Holder TPHCS70-250A PULLOUT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS250-P | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 250 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-E | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-E | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 800 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-EAV | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-EAV | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-EL | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-EL | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 800 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-M | Eaton Electrical | High Current Switch 800A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-M | Bussmann / Eaton | Fuse Holder DISCN. SWITCH 800A METRIC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-M | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 800 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-MAV | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-MAV | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-ML | Bussmann / Eaton | Fuse Holder HIGH CURRENT SWITCH | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-ML | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 800 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-P | Bussmann / Eaton | Fuse Holder TPHCS 300-800A PULLOUT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHCS800-P | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS Packaging: Bulk Contact Finish: Tin For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses Fuse Type: Blade Voltage: 80V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm) Contact Material: Copper Fuseholder Type: Holder Current Rating (Amps): 800 A Number of Circuits: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHD4-313-36A | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
TPHR6503PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs 30 Volt N-Channel | на замовлення 15873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | на замовлення 34906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL,LQ(M1 | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL1 | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | на замовлення 13458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max) | на замовлення 43025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 9891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ(M | Toshiba | TPHR6503PL1,LQ(M | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 9891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR6503PL1LQ(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR6503PLLQ(M1 | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU L1Q | Toshiba | N-CH 40V SOP ADV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR7404PU,L1Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7404PUL1Q(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7904PB | Toshiba | MOSFETs SOPADVANCE N CHAN 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7904PB,L1HLQ(O | Toshiba | SOPADVANCE N CHAN 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7904PB,L1Q(O | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR7904PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V | на замовлення 14670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR7904PB,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 8690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR7904PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR7904PBL1Q(O | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL Код товару: 144412 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
TPHR8504PL | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs 40 Volt N-Channel | на замовлення 34604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V | на замовлення 4573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Power dissipation: 170W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Power dissipation: 170W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL,LQ(M1W | Toshiba | MOSFET 40 VOLT N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR8504PL1,LQ(MW | Toshiba | HALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL1LQ(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PL1LQ(MW | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR8504PLLQ(M1W | Toshiba | MOSFET 40 VOLT N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NC | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 78W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 78W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba | MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | на замовлення 5693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q Код товару: 128207 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V | на замовлення 15771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q(M | Toshiba | N-MOSFET 30V 60A 1.6W 0.9mΩ TPHR9003NL,L1Q Toshiba TTPHR9003nl кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,LQ(M1 | Toshiba | TPHR9003NL,LQ(M1 | на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL,LQ(M1 | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V | на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ | Toshiba | MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max) | на замовлення 10310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.00077 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ(M | Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.00077 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9003NL1LQ(M | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NLL1Q(M-X | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9003NLLQ(M1 | Toshiba | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V | на замовлення 4686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W | на замовлення 4728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 1551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9203PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V | на замовлення 16767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL1,LQ | Toshiba | MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max) | на замовлення 41157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PL1,LQ(M | Toshiba | LVMOS SOP-8-ADV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHR9203PL1,LQ(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
TPHR9203PLL1Q(M | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||||
TPHWC-EU | VENTION | Category: Computer Adapters Description: Hub USB; USB 3.0,USB 3.2; white; Number of ports: 12; 0.25m Type of PC accessories: hub USB Version: USB 3.2; USB 3.0 Contact plating: nickel plated Cable length: 0.25m Insulation colour: white Colour: white Enclosure material: ABS Kind of connector: DC 5V female; HDMI socket; Jack 3.5mm socket; microSD; RJ45 socket; SD; USB A socket x3; USB C socket x2; VGA Number of ports: 12 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|