TPHR6503PL1,LQ(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 108.8 грн |
| 10+ | 100.8 грн |
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Технічний опис TPHR6503PL1,LQ(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 210, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 410, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції TPHR6503PL1,LQ(M за ціною від 125.36 грн до 154.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPHR6503PL1,LQ(M | Виробник : Toshiba | TPHR6503PL1,LQ(M |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TPHR6503PL1,LQ(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 euEccn: NLR Verlustleistung: 210 Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 410 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TPHR6503PL1,LQ(M | Виробник : Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE |
товар відсутній |